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防腐漆制法制备硅单品的基础原料
来源:原创  |  发布时间:2012-6-10 11:44:14  |  浏览次数:

                 防腐漆制法制备硅单品的基础原料是高纯多晶硅,单晶硅的制备方法主有3种直拉法(CZ法)将多晶硅原料置于石英柑竭中,升沮至原料熔化,把旋转的籽晶一端浸人熔体,然后经引品、缩颈、放肩、等径拉制、收尾等步骤,最后得到单品棒.该方法的特点:①获得良好的品体完整性,可拉制大直径单晶设备简单,揍杂方便.均匀性好,④必须使用柑垠,生产不连续.不宜拉侧高电附率(>?cm)的单晶区熔法(FZ法)这是一种不用柑坍的单晶生长方法。在一个通人高纯氢气或真空的高频感应加热炉中.利用高颇加热线阅或徽光.在直立式籽品与其上方悬挂的多晶硅原料棒的接触处形成一个狭窄的熔区,然后使熔区级慢上移,通过整根原料棒
              防腐漆最终生长成一顺单晶.区熔法生长单晶的过程与CZ法基本相间,它包括引晶、拉细颐、放肩、等径生长和收尾等步异.该方法的特点是区熔时,高沮的熔区不与任何物品接触因此硅熔体不会被站污,由于杂质分凝效应和杂质挥发的综合效果.区熔本身也是提纯过程.故能获得高纯度的单晶.通过中子嫂变接杂(ND)可获得高均匀性单晶磁场拉晶法(MCZ法)该方法是在CZ法的基础上对柑姗内的熔体施加一个横向或垂直磁场.使熔体的无规则热对流得到控侧,其工艺过程基本上与CZ法相同,但MCZ法改变了整个熔体的流动状态及杂质移动条件.使单晶生长在组度波动小、固体和液体交接面相对稳定的条件下进行,改进了CZ法中热对流对单晶质量的影响。该方法的特点是可以使晶体中无杂质条纹。
            防腐漆可有效地控制晶体中的氧含最,减少晶体中的二次缺陷晶体的电学特性好此外还有在徽重力下生长单晶.但因其代价高昂,仅用于科学试验用途用于制造二极管、晶体管、集成电路、电力电子器件、太阳电池、电荷藕合器件(CCD),整流器、晶闸份、射线探测器等毒性与防护参见020209硅包装及贮运产品用清洁的塑料薄膜逐锭包装,装人适宜的包装盒内.并采取防护措施.以防损坏晶体.产品外运时.将装有产品的包装盒放入箱内
 

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